MMIX1T660N04T4
IXYS
Deutsch
Artikelnummer: | MMIX1T660N04T4 |
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Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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20+ | $21.984 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±15V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 24-SMPD |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 830W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 24-PowerSMD, 21 Leads |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 44000 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 860 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 660A (Tc) |
Grundproduktnummer | MMIX1T660 |
MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD
MOSFET N-CH 1100V 24A 24SMPD
MOSFET N-CH
SCR 1.5KV 60A 24SMPD
IGBT 650V 450A 24-SMPD
MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD
MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
IGBT 600V 175A 520W SMPD
MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
IGBT PT 600V 400A 24-SMPD
IGBT 600V 145A 400W SMPD
MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
IGBT 1200V 220A 400W SMPD
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
IGBT 1200V 92A 400W SMPD
IGBT 600V 223A 625W SMPD
IGBT TRANS 3000V 38A
DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MMIX1T660N04T4IXYS |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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